特許

J-GLOBAL ID：200903068292117867

集積回路装置

発明者： 平林 温夫
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183603
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029376
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子において発生する熱を高効率に放熱して、安定した素子特性を発揮可能な集積回路装置を実現すること。【構成】 集積回路装置1において、半導体支持基板3の表面側にはシリコン酸化膜4を介して形成され、分離溝8により誘電体分離された半導体層6を有する。半導体基板3には、その裏面側からシリコン酸化膜4を貫通して半導体層6にまで達する裏面コンタクト溝22を有し、この裏面コンタクト溝22の内部には、露出された半導体層6の底部と半導体支持基板3およびベース25とを導電接続する金属膜23が形成され、半導体素子における熱を高効率に放熱する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面側に絶縁膜を介して形成された半導体層が誘電体分離されて複数の半導体島領域としてなる集積回路装置において、前記半導体基板の裏面側から前記絶縁膜を貫通して少なくとも1つの前記半導体島領域に達する裏面溝部と、この裏面溝部内に形成され少なくとも前記半導体基板と前記半導体島領域とを接続する熱伝導部と、を有することを特徴とする集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 23/34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-128562
  
• 特開平2-148821
  
• 特開昭63-120437
  
• 特開平4-251958