特許

J-GLOBAL ID：200903068296877157

高電子移動度トランジスタ及びIII-V族化合物半導体デバイス

発明者： 杉山 亨 ,  森塚 宏平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057899
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252112
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 寄生容量が小さくキンク現象を抑制したHEMT及び半導体デバイスを提供する。【解決手段】 正孔または電子を引き抜くp型又はn型半導体層13が、HEMTのソース電極7とドレイン電極11とを通る平面に垂直でゲート電極9及びドレイン電極11を各々通る2つの平面d1、d2の間の領域Dから逸脱しないように小さく設けられ、チャネル層及び半導体層は絶縁層を介して支持基板と接続される。このHEMTとHBTの対応する各層の支持基板からの距離が各々等しくなるよう配置する。

請求項（抜粋）：

ソース電極とゲート電極とドレイン電極とチャネル層と支持前記チャネル層から正孔または電子を引き抜くためにp型半導体またはn型半導体で形成される半導体層と基板とを有し、III -V族化合物半導体で形成される高電子移動度トランジスタであって、前記半導体層は、ソース電極とドレイン電極とを通る平面に垂直でゲート電極及びドレイン電極を各々通る2つの平面の間の領域から逸脱しないように小さく形成され、該チャネル層及び該半導体層は絶縁層を介して前記支持基板と接続されることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 29/205