特許
J-GLOBAL ID：200903068297118691
III-V族化合物半導体結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321041
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 III-V族化合物半導体結晶成長方法に関し、シラン、ジシランの代替原料を用い、安全に、かつ、分解温度を低くして、Siを均一かつ、高濃度にドーピングする手段を提供する。【構成】 有機金属気相成長法等によってGaAs等のIII-V族化合物半導体を成長する過程でSiをドープする場合、ドーパントとしてSiにアルキル基と水素基が結合し、あるいはSiが分子内に2つ以上含まれ、そのSiのうち少なくとも1つには水素基が結合し、かつ、少なくとも他のSiにはアルキル基が結合し、あるいはSiが分子内に2つ以上含まれ、そのSiのうち少なくとも1つには水素基が結合し、かつ、少なくとも他のSiにはフェニル基が結合し、あるいはSiが分子内に2つ以上含まれ、そのSiのうち少なくとも一つに有機アミノ基が結合している室温で液体の材料、例えばフェニルシラン(PhSi)を用いる。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体にSiドープを行う場合に、ドーパントとしてSiにアルキル基と水素基が結合している室温で液体の材料を用いることを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
