特許

J-GLOBAL ID：200903068299103381

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した半導体装置

発明者： 森田 春雪 ,  和田 健司 ,  稲増 崇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-213062
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031504
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 反応容器内の複数の線状電極に位相を制御して高周波電力を印加しても、電極上に生じる定在波による電界強度の不均一性を低減することは困難であり、均一なプラズマを生成させるには不充分である。【解決手段】 プラズマ処理装置において、反応容器内の略同一平面上に配置された複数の小電極に対して、互いに隣接する電極に異なる周波数の高周波電力を印加することで、各々の電極で生じる電界強度を合成して大面積にわたって均一な電界強度を生じさせることが可能となり、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。

請求項（抜粋）：

被処理部材配設部と、該被処理部材配設部との間でプラズマを発生させる複数の小電極とを備え、前記複数の小電極に異なる周波数の高周波電力を印加する高周波電源を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46 L

Fターム (23件)：

4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE07 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EH20