特許

J-GLOBAL ID：200903068299321834

抵抗素子及び温度センサー

発明者： 江田 和夫
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256378
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125127
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 広い温度範囲で抵抗値が安定な抵抗素子の構造を提供する。【構成】 P 型シリコン基板10上に、正の温度係数を有するP 型拡散抵抗層12(第1抵抗)と、負の温度係数を有する微結晶シリコン抵抗層14(第2抵抗)を形成し、P 型シリコン基板10と微結晶シリコン抵抗層14とを並列に接続した。【効果】 温度変化による抵抗値の変動率を任意に選択することができ、広い温度範囲で抵抗値が安定な半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、正の温度係数を有する単結晶半導体で構成される第1抵抗と、負の温度係数を有する、微結晶半導体またはアモルファス半導体で構成され、前記第1抵抗と直列または並列に接続される第2抵抗とを備えたことを特徴とする抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G01K 7/16

FI (2件)：

H01L 27/04 R ,  H01L 27/04 P