特許
J-GLOBAL ID：200903068300293386
半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの駆動方法ならびに半導体レーザモジュールを用いた通信機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187977
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009384
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 サーモモジュールへの過電流通電を抑制する。【解決手段】 サーモモジュール5はリードピン16fからリードピン16aに向かう方向の電流が通電する際には加熱動作を行い、反対に、リードピン16aからリードピン16fに向かう方向の電流が通電する際には冷却動作を行う。サーモモジュール5への加熱方向の過電流通電を抑制する過電流制限回路20を設ける。過電流制限回路20はバイパス通路21とツェナーダイオード22とダイオード23を有し、ツェナーダイオード22とダイオード23は逆向きに接続する。加熱方向の電流が通電するときにはダイオード23が導通オン状態となり、ツェナーダイオード22のツェナー電圧を越えた時に電流がサーモモジュール5とバイパス通路21とに分流して流れる。これにより、サーモモジュール5への過電流通電を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の温度を調整するサーモモジュールと、上記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光と光学的に結合される光ファイバとを有する半導体レーザモジュールにおいて、上記サーモモジュールは通電電流の向きに応じて加熱動作と冷却動作を変化させ、かつ、サーモモジュールに通電する電流量に応じて半導体レーザ素子の温度を可変調整する構成と成し、上記サーモモジュールを加熱動作させる加熱方向の電流をサーモモジュールに流す電流経路上にはサーモモジュールの上流側と下流側とをサーモモジュールを迂回して短絡するバイパス通路が設けられ、このバイパス通路には上記加熱方向を順方向としたダイオードと、該ダイオードと逆向きのツェナーダイオードとが直列に設けられており、上記バイパス通路とダイオードとツェナーダイオードは加熱方向の電流をサーモモジュールとバイパス通路に分流通電させて加熱方向の過電流がサーモモジュールに通電するのを抑制する過電流制限手段と成していることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (3件)：
H01S 5/024
, G02B 6/42
, H01S 5/022
H01S 5/024
, G02B 6/42
, H01S 5/022
2H037AA01
, 2H037BA03
, 2H037DA35
, 2H037DA38
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073BA09
, 5F073FA07
, 5F073FA25
, 5F073GA23
, 5F073GA32
