特許

J-GLOBAL ID：200903068300824233

半導体発光装置

発明者： 岩本 隆
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200248
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038146
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 光取り出し効率を向上させて、高出力の半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】 p-GaAlAsクラッド層2、n-GaAlAsクラッド層4、これらのクラッド層2、4間に配置したp-GaAlAs活性層3、下部電極7、上部電極6、及び光取り出し面5から構成された半導体発光装置1において、発光領域とならない活性層をエッチングにより除去して、その表面を光を乱反射するような凹凸面8とした。

請求項（抜粋）：

活性層を含む半導体結晶層の上部と下部とに電極を形成し、前記活性層を発光領域とすると共に、前記活性層の対向面側に、前記発光領域からの出射光を外部へ出射する光取り出し面を形成した面発光型半導体発光装置において、前記活性層側の発光領域以外の部分を、乱反射領域としたことを特徴とする半導体発光装置。