半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-243330
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093683
出願日： 2005年08月24日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 GaN基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性を、目的とする半導体素子の寸法相当において向上し、これにより半導体素子の特性の高性能化を図る。【解決手段】 {0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値が0.14°以上0.35°以下、且つ{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度の絶対値が0.00°以上0.06°以下の面方位のGaN基板11と、このGaN基板11上に積層された窒化物系III-V族化合物半導体層12と、この窒化物系III-V族化合物半導体層12上の素子構造部(13〜20)とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

{0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値が0.12°以上0.35°以下、且つ{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度の絶対値が0.00°以上0.06°以下の面方位のGaN基板と、該GaN基板上に積層された窒化物系III-V族化合物半導体単結晶層と、を備えることを特徴とする半導体基板。

IPC (10件)：

H01L 29/201 , H01S 5/323 , H01L 21/331 , H01L 29/737 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 33/00 , H01L 29/04 , H01L 21/205

FI (7件)：

H01L29/201 , H01S5/323 610 , H01L29/72 H , H01L29/80 H , H01L33/00 C , H01L29/04 , H01L21/205

Fターム (44件)：

5F003AZ01 , 5F003BA92 , 5F003BC02 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP32 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA58 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045BB02 , 5F045DA61 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GL20 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC04 , 5F173AA08 , 5F173AG12 , 5F173AG14 , 5F173AG17 , 5F173AH22 , 5F173AP24 , 5F173AP45 , 5F173AR84

引用特許：

出願人引用 (2件)

窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-046577 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-022181 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (1件)

窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-046577 出願人：日亜化学工業株式会社

前のページに戻る