特許

J-GLOBAL ID：200903068306722815

半導体素子

発明者： 大塚 健一 ,  遠藤 康行 ,  今泉 昌之 ,  井須 俊郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097861
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299773
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 p型電極のオーミック接触抵抗を低減することにより、半導体素子の動作電圧を低減する。【構成】 p型電極とp型結晶層との間に、(CuAg)(AlGaIn)(SSeTe)2で表記される銅または銀カルコパイライト結晶もしくはこれらの混晶を含んだ層を設けた。

請求項（抜粋）：

p型電極とp型結晶層との間に、(CuAg)(AlGaIn)(SSeTe)2で表記される銀または銅カルコパイライト結晶層もしくはこれらの混晶層を設けたことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/46 ,  H01L 33/00