特許
J-GLOBAL ID：200903068309115898
光電子放出面の使用方法および電子管の使用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038852
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236015
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 放出面までの走行時間広がりが小さく、時間応答性の良好な光電子放出面を提供する。【構成】 p型透明基板11上にはp型光吸収層12およびp型電子放出層13が積層され、III -V族化合物半導体のヘテロ積層構造が形成されている。また、電子放出層13表面にはショットキ電極15、透明基板11の裏面にはオーミック電極16が形成されている。ショットキ電極15とオーミック電極16との間には、光吸収層12の全体に電界が形成されるのに必要かつ十分な電圧が印加される。従って、光吸収層12の全体に電位勾配が形成され、光入射によって光吸収層12で励起された光電子は全て加速される。従って、放出表面14から放出される光電子は全て加速電子となる。
請求項（抜粋）：
p型基板上に形成されたp型光吸収層およびこのp型光吸収層上に形成されたp型電子放出層からなるIII -V族化合物半導体のヘテロ積層構造と、前記電子放出層にショットキ接触した第1の電極と、前記基板にオーミック接触した第2の電極とを備えた光電子放出面の使用方法において、前記第1の電極と前記第2の電極との間に前記光吸収層全体に電界が形成されるのに必要かつ十分な電圧を印加して前記光吸収層全体に電位勾配を形成し、光入射によって前記光吸収層で励起した光電子を前記電子放出層から放出させることを特徴とする光電子放出面の使用方法。
IPC (4件)：
H01J 1/34
, H01J 29/38
, H01J 31/50
, H01J 40/06
H01J 1/34 C
, H01J 29/38
, H01J 31/50 D
, H01J 40/06
