特許
J-GLOBAL ID：200903068326002738
新規なアントラセン誘導体
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188795
公開番号（公開出願番号）：特開平7-082221
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1995年03月28日
要約：
【要約】【目的】KrFエキシマレーザ光等の遠紫外光リソグラフィーを利用してレジストパターンを形成する際に生じる、半導体基板からの反射による膜内多重反射の影響を抑制するために、半導体基板表面に形成させる反射防止膜用材料として、極めて有用な新規化合物を提供。【構成】下記一般式〔I〕【化1】[式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は水酸基を表わし、R3、R4、R5及びR6は夫々独立して水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は下記一般式〔II〕【化2】(式中、R1及びR2は前記と同じ。)で示される基を表わす(但し、R3〜R6の内、少なくとも一つは一般式〔II〕で示される基を表わす。又、一般式〔II〕で示される基が同時にアントラセン環の1位、8位及び9位に導入された化合物は除く。)。]で示されるアントラセン誘導体。
請求項（抜粋）：
下記一般式〔I〕【化1】[式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は水酸基を表わし、R3、R4、R5及びR6は夫々独立して水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は下記一般式〔II〕【化2】(式中、R1及びR2は前記と同じ。)で示される基を表わす(但し、R3〜R6の内、少なくとも一つは一般式〔II〕で示される基を表わす。又、一般式〔II〕で示される基が同時にアントラセン環の1位、8位及び9位に導入された化合物は除く。)。]で示されるアントラセン誘導体。
IPC (5件)：
C07C 69/84
, C07C 69/92
, C09K 3/00
, G03F 7/11 503
, H01L 21/027
