絶縁膜欠陥検出方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178050
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021181
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコン膜上の絶縁膜たとえば二酸化珪素膜や酸化窒化珪素膜、酸化アルミニウム膜の欠陥、すなわちピンホールの観察を簡単化する。【構成】セルプレート電極8は、不純物をドープした減圧CVD法により成膜した多結晶シリコンを用いる。これをエッチングする場合、アルカリ水溶液として、水酸化カリウム水溶液にDRAMを浸漬し、セルプレート電極8をエッチング除去する。この時、絶縁膜7にピンホールが存在すれば、その欠陥部分から、浸透したエッチング液により、この多結晶シリコンがエッチングされる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に導電性膜を形成し、前記導電性膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に導電性膜を形成する工程と前記シリコン基板をアルカリ水溶液中に浸漬し、前記絶縁膜欠陥上および下の導電性膜を選択的に除去する工程からなることを特徴とする絶縁膜欠陥検出方法。

前のページに戻る