特許

J-GLOBAL ID：200903068333528702

EUV光源、露光装置及び露光方法

発明者： 村上 勝彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-195019
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032510
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】EUV露光装置に使用される13nm付近の波長域において適当なターゲット材料であるSnを用いつつ、デブリを低減することができるEUV光源を提供する。【解決手段】EUV光源は、真空チャンバ4と、Sn化合物を含む溶液を収納するタンク1と、タンクに収納されている溶液を加熱するヒータ2とを備える。該ヒータにより溶液を加熱することにより気化したSn化合物を含む気体は、ガスボンベ13に充填されたキャリアガスによりノズル3に運ばれて真空チャンバの内部に噴射され、レーザ装置6から発生したレーザ光を照射されるとプラズマ化してEUV光を発生するガスターゲットとして作用する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Sn化合物の気体又は液体を含むターゲット材料を供給するターゲット材料供給系と、 前記ターゲット材料をプラズマ化する手段と、 プラズマ化されたターゲット材料から放射されるEUV光を外部に向けて射出する手段と、を具備することを特徴とするEUV光源。

IPC (8件)：

H05G2/00 ,  G03F7/20 ,  G21K5/00 ,  G21K5/02 ,  G21K5/08 ,  H01L21/027 ,  H05G1/00 ,  H05H1/24

FI (9件)：

H05G1/00 K ,  G03F7/20 521 ,  G21K5/00 Z ,  G21K5/02 X ,  G21K5/08 X ,  G21K5/08 Z ,  H05H1/24 ,  H01L21/30 531S ,  H05G1/00 R

Fターム (8件)：

4C092AA06 ,  4C092AA14 ,  4C092AA15 ,  4C092AB21 ,  4C092AB30 ,  4C092AC09 ,  5F046GC02 ,  5F046GC03