特許
J-GLOBAL ID:200903068333800410

多波長レーザの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-150630
公開番号(公開出願番号):特開平5-343801
出願日: 1992年06月10日
公開日(公表日): 1993年12月24日
要約:
【要約】【目的】 同一基板上に活性層の構造が異なった、すなわち、発振波長の異なったレーザが任意の順番に並んだ多波長レーザを提供する。【構成】 レーザを単結晶基板上に部分的に、かつ照射時間を変化させて照射してレーザ構造を作製する。
請求項(抜粋):
有機金属分子線エピタキシャル法により同一の単結晶基板上に多波長のレーザ構造を成長させる多波長レーザの製造方法であって、前記単結晶基板上の一部にレーザ光を照射しながら該基板上にIII-V族半導体薄膜からなる活性層を成長させる際に、該レーザ光を複数本の線上に照射することとし、この時、照射する領域毎に照射を開始する時間を変化させるとともに、該照射した領域の少なくとも一部を用いて複数本からなるレーザの一部を形成することを特徴とする多波長レーザの製造方法。

前のページに戻る