特許
J-GLOBAL ID：200903068335018078
不揮発性半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298853
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150674
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】不揮発性半導体装置、特にフラッシュ(一括消去型)EEPROMにおいて、過剰消去されたメモリートランジスタの救済を図る。【構成】消去動作後、ソースラインSLをGNDレベル、ビットラインBL1、BL2をオープンレベル、ワードラインWL1、WL2を高電圧レベルとすることで、トンネル電流によりフローティングゲート電極に電子を注入し書き込みを行う。過剰消去されたメモリートランジスタのしきい値電位を、書き込みにより増加させることで過剰消去の救済を図る。【効果】従来のように過剰消去を防ぐためにベリファイ動作を並行に消去を行う必要がない。例えば十分にしきい値電位を小さくするような消去動作を1回だけ行い、その後消去後書き込み動作を行えば消去動作を完了することができることからベリファイ動作の簡略化を図ることも可能である。
請求項（抜粋）：
フローティングゲート電極とコントロールゲート電極を備え、該フローティングゲート電極へ電子を注入する書き込み動作をドレイン領域端部で発生するホットエレクトロンで行うと共に、該フローティングゲート電極から電子を放出する消去動作をソース領域のトンネル電流で行うメモリートランジスタを含んで成る不揮発性半導体装置において、データの消去動作後に、該フローティングゲートと、チャンネル領域あるいはソース領域あるいはドレイン領域間にトンネル電流を発生させ、該フローティングゲート電極に電子を注入させることで該メモリートランジスタに書き込み動作を行う手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体装置。
引用特許：
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