特許

J-GLOBAL ID：200903068338344995

リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法

発明者： 多田 仁史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033510
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229246
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 動作電流を増加させることなく高次モードの発生を抑えることができるリッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成された活性層上に、上クラッド層を介してp型又はn型の一方の導電型の半導体からなるリッジ導波路が形成されたリッジ型半導体レーザダイオードであって、リッジ導波路の両側面から内側に、一方の導電型の半導体のキャリヤを減少させるイオンを注入して、該イオンが注入された領域を高抵抗化した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された活性層上に、上クラッド層を介してp型又はn型の一方の導電型の半導体からなるリッジ導波路が形成されたリッジ型半導体レーザダイオードであって、上記リッジ導波路の両側面から内側に、上記一方の導電型の半導体のキャリヤを減少させるイオンを注入して、該イオンが注入された領域を高抵抗化したことを特徴とするリッジ型半導体レーザダイオード。