特許

J-GLOBAL ID：200903068342548465

超伝導トンネル接合素子

発明者： 田辺 圭一 ,  狩元 慎一 ,  榎本 陽一 ,  浅野 秀文
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036629
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235424
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 液体ヘリウムの要らない高温での動作が可能な高品質トンネル接合素子を提供することを目的とする。【構成】 本発明のトンネル接合素子は基板1上に形成されたBa1-x Mx BiO3 (M=K,Rb:X=0.35〜0.5)からなる第1および第2の超伝導薄膜電極2および5間にBa1-x Mx BiO3 (M=K,Rb:X=0〜0.3)、あるいはBaBi2 Oy からなる絶縁体あるいは半導体のトンネルバリア層3が挿入された構造を有する超伝導トンネル接合素子において、前記バリア層3と前記第1の超伝導電極2との間あるいは前記バリア層3と前記第2の超伝導電極5との間の少なくとも一方にPtからなる拡散バリア層4を設けている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたBa1-x Mx BiO3 (M=K,Rb:X=0.35〜0.5)からなる第1および第2の超伝導薄膜電極間にBa1-xMx BiO3 (M=K,Rb:X=0〜0.3)、あるいはBaBi2 Oy からなる絶縁体あるいは半導体のトンネルバリア層が挿入された構造を有する超伝導トンネル接合素子において、前記バリア層と前記第1の超伝導電極との間あるいは前記バリア層と前記第2の超伝導電極との間の少なくとも一方にPtからなる拡散バリア層を設けたことを特徴とする超伝導トンネル接合素子。