特許

J-GLOBAL ID：200903068345357750

III-V 族半導体レーザの製造方法

発明者： ロバート フランク カーリセック ,  アヴィシャイ カッツ ,  ラルフ アンドル ローガン
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322340
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069598
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザの一層簡単な製造方法を提供する。【構成】 本発明のIII-V 族(例えば、InP系)エッチングメサ埋込へテロ構造レーザの製造方法は、エッチングマスクとして、および接点金属として、適当な金属層40を使用することからなる。これにより製造工程の単純化が実現される。また、本発明により自己位置合せされた製造処理方法が実現される。適当な金属層はMo,Wおよび/またはReからなる。Wが好ましい。W-シリサイドが最も好ましい。メサの上面の第1の金属層上に、例えば、Tiからなる第2の金属層52が堆積される。続いて、常用のAu堆積が行われる。

請求項（抜粋）：

(a) 多数のエピタキシャルIII-V 族半導体層からなり、かつ、主要面を有するIII-V 族半導体本体を準備する工程;(b) 主要面上の所定部分がパターン付けされた材料層により被覆されないように、前記主要面上に前記パターン付材料層を形成する工程および主要面の該部分をエッチング媒体に暴露し細長い突出した形態的特徴部(“メサ”)を形成する工程、該メサは上面と、2個の対向する細長い側面とを有する;(c) 半導体材料を前記2個の側面に接触させるために、半導体本体上でエピタキシャル半導体材料を成長させる工程;(d) 前記上面に金属接点手段を形成する工程;および、(e) レーザを完成させるための一以上の別の工程を実施する工程;(f) 材料層は、Mo,WおよびReから選択される耐熱性金属からなる第1の金属層(40)であり;そして、(g) 工程(d) はメサの上面を被覆する第1の金属層上に第2の金属(52)を堆積することからなり、第2の金属はTiからなる;ことを特徴とするIII-V 族半導体本体レーザの製造方法。