特許

J-GLOBAL ID：200903068351732333

金属間キャパシタのインプリメンテーション

発明者： ブリュノ ボヌール ,  ヴェロニク トゥルニエ
出願人/特許権者： エステーミクロエレクトロニクス エスア
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-274259
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154731
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 電力供給を害するスイッチングノイズの影響を受けない多層集積回路の金属間キャパシタ及びそのインプリメンテーションの方法を提供する。【解決手段】 これは、P型基板から少なくとも5つのメタライゼーションのレベルを含んでいる。本発明の方法は、キャパシタの端のメタライゼーションレベルの部分の一方の側に、基板と最後のメタライゼーションレベルとは異なるバイアス可能なレベルの少なくとも1つの部分を残させる段階と、少なくともキャパシタ上で且つ基板の部分に、2つのバイアス可能部分をバイアスする段階とからなる。また、本発明の金属間キャパシタは、キャパシタの端部分の2つのレベルが、バイアス可能なレベルの一部分によって、基板及び最後のメタライゼーションレベルから、それぞれ分離されている。

請求項（抜粋）：

多層集積回路の金属間キャパシタ(C)のインプリメンテーションの方法において、P型基板(21)から少なくとも5つのメタライゼーションのレベルを含んでおり、前記キャパシタの端メタライゼーションレベルの部分の一方の側に、前記基板と最後のメタライゼーションレベル(27)とは異なる、少なくとも1つの部分のバイアス可能なレベル(22、26)を残存させる段階と、少なくともキャパシタ上で、前記基板(21)の電位に2つのバイアス可能な部分をバイアスする段階とからなることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-305460
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-232185   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-179126
  
• 特開昭61-480466