特許
J-GLOBAL ID：200903068355778230
半導体装置の封止方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240688
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089914
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップに形成された電極と回路基板に形成された電極をバンプにより接続し、さらに前記半導体チップと前記回路基板により形成された間隙を熱可塑性樹脂で封止するさい、気泡の発生しない封止方法を提供する。【構成】 半導体チップの中央部に熱可塑性樹脂を塗布し仮硬化させ、その後半導体チップの電極と回路基板の電極とを位置合わせしてチップ電極と基板電極とが接触する方向に加圧し、熱可塑性樹脂を加熱溶融して周辺へ一様に拡散させる。
請求項（抜粋）：
半導体チップに形成された電極と回路基板に形成された電極をバンプにより接続し、さらに前記半導体チップと前記回路基板により形成される間隙を熱可塑性樹脂によって封止する方法において、ダイシング後の前記半導体チップの中央部に前記熱可塑性樹脂を塗布し仮硬化させ、その後前記半導体チップの電極と前記回路基板の電極を位置合わせし、前記熱可塑性樹脂を加熱溶融させながら前記半導体チップ電極と前記回路基板電極とが接触する方向に加圧して前記熱可塑性樹脂を前記半導体チップと前記回路基板の間の中央部から周辺に拡散させて封止させ、かつ前記半導体チップ電極と前記回路基板電極を前記バンプにより電気的に接続することを特徴とする半導体装置の封止方法。
IPC (3件)：
H01L 21/56
, H01L 21/60 311
, H01L 23/02
