特許
J-GLOBAL ID：200903068358467988
半導体基板およびその熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038698
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249588
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体プロセスの熱処理中に酸化物が析出してデバイスに影響を与えることなく、また基板表面における抵抗率の上昇を押えることができる半導体基板を得ること。【構成】 シリコン半導体基板のドーパントを含む分子を含有した不活性ガス雰囲気中に、シリコン半導体基板を導入する。次に不活性ガス雰囲気中で1100°C以上まで加熱する。これにより、基板内部の平均格子間酸素濃度と基板表面の平均格子間酸素濃度の比が5以上で、かつ基板表面の平均格子間酸素濃度が2×1017atms/cm3 以下の半導体基板が得られる。また基板内部と基板表面の平均ドーパント不純物濃度の差が5%以下となる。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板の熱処理方法において、前記シリコン半導体基板のドーパントを含む分子を含有した不活性ガス雰囲気中にシリコン半導体基板を導入する工程と、この不活性ガス雰囲気を1100°C以上まで加熱する工程と、からなる半導体基板の熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/223
, H01L 21/322
, H01L 21/324
