半導体結晶および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小林茂 , 和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080633
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244036
出願日： 2007年03月27日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】優れた特性の窒化物系化合物半導体複合層を有する半導体結晶および半導体装置を提供すること。【解決手段】SiC基板1上に、基板1とバッファ層とのつなぎをよくするために、AlGaNバッファ層2’を結晶成長し、AlGaNバッファ層2’上にGaNバッファ層2を2μm成長し、GaNバッファ層2上にIn0.25Al0.05Ga0.70Nチャネル層3を30nm成長した後、In0.25Al0.05Ga0.70Nチャネル層3上にIn0.10Al0.80Ga0.10Nバリア層4を25nm成長してなる構造を有する半導体装置を構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

InとAlとGaとNを含む第一の層と、AlとNを含む第二の層とを有し、前記第二の層の伝導帯端のポテンシャルが前記第一の層の伝導帯端のポテンシャルより高いことを特徴とする半導体結晶。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L21/205

Fターム (22件)：

5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045BB04 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102HC01

前のページに戻る