特許

J-GLOBAL ID：200903068373662975

光電変換素子

発明者： 三宮 仁 ,  千田 純 ,  伊藤 学
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272742
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125099
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 光電変換素子の短絡電流または開放電圧の増加を図り、なおかつ信頼性の向上を図る。【構成】 pin構造を有する光電変換素子において、i層の実質的な部分がアモルファスシリコン合金材料により形成され、該合金材料の組成比を変化させることにより、i層の膜厚方向にバンドギャップの大小を交互に生じるように組成比の異なる複数の層が積層され、シリコン組成比の少ない方の層における膜厚が1〜8nmであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

pin構造を有する光電変換素子において、i層の実質的な部分がアモルファスシリコン合金材料により形成され、該合金材料の組成比を変化させることにより、i層の膜厚方向にバンドギャップの大小を交互に生じるように組成比の異なる複数の層が積層され、シリコン組成比の少ない層の膜厚が1〜8nmであることを特徴とする光電変換素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-104383
  
• 特開昭61-120480
  
• 特開昭62-158316
  
• 特開平2-177371