特許
J-GLOBAL ID：200903068374503218
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201701
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048072
出願日： 1991年08月12日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】Si電子回路と半導体レーザ、またはさらに受光器を設けた半導体素子において、長時間安定して動作する長寿命の半導体レーザを提供する。【構成】Si基板上に、Siからなる電子回路と、少なくとも1種以上の単結晶化合物半導体層(例えば、GaAsおよびInGaAsのバッファ層を介して単結晶InP半導体層を積層する)を介して、波長が1.4μm以上の長波長光を発振する半導体レーザおよび受光器を集積して構成した半導体素子。【効果】バッファ層を介して積層することによりInP半導体層の転位密度および残留応力を低減することができ、レーザの発振波長を1.4μm以上とすることができ長寿命の半導体レーザが得られる。
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)基板上に、Siからなる電子回路と、少なくとも1種以上の単結晶化合物半導体層を介して、波長が1.4μm以上の長波長光を発振する半導体レーザを集積してなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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