特許

J-GLOBAL ID：200903068379858189

安定で低い電気固有抵抗を有する窒化チタン薄膜を堆積させるための改良減圧化学蒸着法

発明者： ガーテージュ・エス・サンデュー
出願人/特許権者： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206062
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【構成】 化学蒸着法により窒化チタン薄膜を形成させるための改良法。得られる薄膜はバルク電気固有抵抗が低く安定している特徴がある。この改良法は減圧室(すなわち0.1乃至2 Torr に減圧した室)で堆積を行ない,かつ前駆体としてアンモニアおよび金属-有機化合物テトラキス(ジメチルアミド)チタン,Ti(NMe2 )4 を使用する。堆積室内のアンモニア流速は金属-有機化合物の流速の約30倍以上に維持する。このような流速に維持すると,得られるTiN薄膜のバルク電気固有抵抗が低く,かつ酸化性雰囲気中に曝しても経時的に比較的一定した抵抗を有するTiN薄膜が得られる。【効果】 本発明の改良法を用いて堆積させた薄膜の酸素含有量は5%以下である。さらに,本発明の堆積法は基板の温度が少なくとも200°C,理想的には450°Cで実施でき,得られるTiN薄膜のバルク電気固有抵抗を最小にすることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化チタン薄膜を堆積させるための改良化学蒸着法であって,該方法が次の:(a)化学蒸着室内に基板を導入する工程;(b)蒸着室内から酸素をパージする工程;(c)ガス状アンモニアの流速がガス状チタン金属-有機化合物の流速の約30倍以上になるようにガス状アンモニアとガス状チタン金属-有機化合物との流れを室内で形成させる工程;および(d)基板を少なくとも200°Cに加熱する工程;から成る改良化学蒸着法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-259073
  
• 特開昭60-149777
  
• 特開昭57-111212
  
• 特開昭61-156725