不揮発性半導体記憶素子の駆動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075034
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283707
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】アバランチェ降服を抑えて中性トラップの生成のなくし、消去特性の劣化を防止する。【構成】半導体基板1を接地しドレイン領域3を開放状態のままとする。ソース領域2に、このソース領域2の接合耐電圧の1/2以下の電圧を印加する。制御ゲート電極7に負の電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

P型の半導体基板に所定の間隔をおいて形成されたN型のソース領域及びドレイン領域と、第1の絶縁膜を介して前記ソース領域上の一部から前記ソース領域,ドレイン領域間上及び前記ドレイン領域上の一部にかけて形成された浮遊ゲート電極と、第2の絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極上に形成された制御ゲート電極とを備えた不揮発性半導体記憶素子のドレイン領域に電圧を印加しない開放状態とし、前記ソース領域にこのソース領域の接合耐電圧の1/2の電圧を越えない正の電圧を前記半導体基板の電圧を基準として印加し、前記制御ゲート電極に前記半導体基板の電圧を基準として負の所定の電圧を印加し前記不揮発性半導体記憶素子の記憶内容を消去するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶素子の駆動方法。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/06

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 309 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-074881
特開平4-105368
特開平4-359476

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