特許

J-GLOBAL ID：200903068390047273

高周波回路用パッケージ

発明者： 吉田 克亨 ,  牧原 千尋
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117580
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312751
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 従来の高周波回路用パッケージでは、線路導体が気密封止部へ出入りする部分で接地状態が不安定となり、反射損失や放射損失を生じて高周波信号の伝送特性が劣化するという問題点があった。【解決手段】 下部接地導体層26と高周波回路部品28の搭載部21aを有する絶縁基板21と、搭載部21a近傍から外周近傍にかけて配設された線路導体24および同一面接地導体層25と、絶縁基板21上に接合され、上部接地導体層27が形成された絶縁枠体22とを具備し、絶縁枠体22の内外側面に同一面接地導体層25と上部接地導体層27とを接続するキャスタレーション導体32を形成するとともに、その直下の絶縁基板21にそれぞれ同一面接地導体層25と下部接地導体層26とを接続する貫通導体33を形成した高周波回路用パッケージである。接地状態が安定して反射損失や放射損失を低減できる。

請求項（抜粋）：

下面に下部接地導体層が形成され、上面に高周波回路部品が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記搭載部近傍から外周近傍にかけて配設された線路導体および該線路導体の両側に併設された同一面接地導体層と、前記絶縁基板上に前記搭載部を囲むとともに前記線路導体および前記同一面接地導体層の一部を挟んで接合され、上面に上部接地導体層が形成された絶縁枠体とを具備し、前記絶縁枠体の内外側面に前記同一面接地導体層と前記上部接地導体層とを接続するキャスタレーション導体を形成するとともに、該キャスタレーション導体直下の前記絶縁基板にそれぞれ前記同一面接地導体層と前記下部接地導体層とを接続する貫通導体を形成したことを特徴とする高周波回路用パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/04

FI (4件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/04 F ,  H01L 23/12 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-107055
  
• 電子部品用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-061068   出願人：新光電気工業株式会社
• 特開昭63-261859