特許
J-GLOBAL ID：200903068391121361
選択成長用GaNマスク形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311614
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163487
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 基板に与えるダメージが少ないGaN膜のパターニング方法を提供する。【構成】 GaAs層12の表面にクラッキングしたアンモニアガスを照射してGaN膜13を形成する。GaN膜13の所定領域に電子ビームEBを照射して、Ga及びNを脱離させ、開口部21を形成する。
請求項（抜粋）：
基板表面にGaN膜を形成する工程と、該GaN膜の所定領域に電子ビームを照射して、該電子ビームが照射された領域のGaN膜を除去する工程とを含むことを特徴とする選択成長用GaNマスク形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/302
, C23C 8/24
, C23F 4/02
, H01L 21/263
, H01L 21/318
