特許
J-GLOBAL ID：200903068395157905
薄膜多層回路基板用ベース基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-153079
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022757
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 インダクタンスが小さくかつ大容量のデカップリングキャパシタ13を内蔵することができ、MCMのベース基板として使用した場合、高速スイッチングにより発生するノイズ等を効果的に除去することができ、理論回路において誤動作が発生しにくい膜多層回路基板用ベース基板を提供すること。【構成】 1層以上の電源層12及び1層以上のグランド層14を含み、電源層12及びグランド層14間に薄膜強誘電体からなるデカップリングキャパシタ13が構成されている薄膜多層回路基板用ベース基板10。
請求項（抜粋）：
1層以上の電源層及び1層以上のグランド層を含み、これらの層間に薄膜強誘電体からなるデカップリングキャパシタが構成されていることを特徴とする薄膜多層回路基板用ベース基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01G 4/33
, H01L 23/12
H01G 4/06 102
, H01L 23/12
