特許

J-GLOBAL ID：200903068397244813

アンモニア中でのアニールを利用して超薄ゲート絶縁体を確立する方法

発明者： イボック,エフィオン・ケイ
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-543768
公開番号（公開出願番号）：特表2003-516633
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2003年05月13日
要約：

【要約】シリコン基板を含む半導体装置の製造方法は、基板上に薄い酸化物基膜を形成し、次にこの基板をアンモニア中でアニールすることを含む。その後、従来通りにFETゲートをゲート絶縁体上に形成する。こうして得られたゲート絶縁体は電気的絶縁性を有するが、従来のゲート酸化物絶縁体と比較して性能は低下していない。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造する方法であって、 半導体基板を与えるステップと、 前記基板上に酸化物基膜を確立するステップと、 次に前記基板をアンモニア中でアニールするステップと、 次に前記膜の部分上にFETゲートを形成するステップとを含む、半導体装置を製造する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (11件)：

5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA05 ,  5F140AA39 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE08