MIS素子並びに之を用いたアナログMISFET、しきい値電圧の補正方法、チャネルポテンシャル調整方法、バイアス回路、電荷転送装置、固体撮像装置、電荷検出装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-164310
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032065
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 MIS素子において、そのしきい値電圧ないしチャネルポテンシャルをアナログ的に設定可能にする。【構成】ゲート絶縁膜が酸化膜、窒化膜、酸化膜の順に積層された多層構成を有するMIS素子であって、このMIS素子のしきい値電圧ないしチャネルポテンシャルを窒化膜に注入した電荷量によって制御するように構成する。

請求項（抜粋）：

しきい値電圧を調整する所定量の電荷をゲート絶縁膜に保持して成ることを特徴とするアナログMISFET。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 29/762 , H01L 21/339 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/76 301 A , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-142776
特開昭54-143267
特開平4-206967

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