特許
J-GLOBAL ID：200903068401306586
ポジ型感光性ポリイミド樹脂とそれを用いた微小機械の作製方法および静電モータの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338269
公開番号（公開出願番号）：特開平7-196794
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：
【要約】【目的】 他の層とは選択的に除去可能で除去速度も速く、かつ、形成が容易で、かつ後工程でフォトレジストのパターニングができるポリイミド樹脂およびこのポリイミド樹脂膜を犠牲層膜に用いた微小機械の作製方法を提供すること。【構成】 回転可能なロータ電極11の上に高誘電率絶縁膜12を形成し、その上にポジ型感光性ポリイミド樹脂を犠牲層膜13としてディッピングで形成し、膜形成のための熱処理を130°C以上溶媒の沸点以下の温度で行う。次に、前記犠牲層膜13上にフォトレジスト膜14をパターニングしその上に金属薄膜15を形成後、フォトレジスト膜14を除去しステータ電極16を形成する。絶縁性樹脂17で全体を形成硬化し、最後に溶媒で犠牲層膜を除去してギャップ18を形成することで、ステータとロータを分離し静電モータが得られる。
請求項（抜粋）：
一般式が【化1】及び【化2】(ただし、式中R1は、フェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基、スルホン酸基からなる群より選ばれた少なくとも1種以上の基を1個または複数個有するジアミンを構成する2価の有機基であり、式中R3はフェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基、スルホン酸基を有しない2価の有機基であり、R1がカルボキシル基、スルホン酸基からなる群より選ばれた少なくとも1種以上の基を1個または複数個有し、かつフェノール性水酸基及びチオフェノール基を有さない場合にR2及びR4はテトラカルボン酸及びその誘導体を構成する4価の有機基であり、R1がフェノール性水酸基及び/またはチオフェノール基を有する場合には、R2、及びR4は芳香環に直接結合しない4個のカルボニル基よりなるテトラカルボン酸及びその誘導体を構成する4価の有機基である。)からなるポリイミド樹脂であって、一般式(化1)で表されるくり返し単位の構成比aが、1モル%≦a≦90モル%であり、一般式(化2)で表されるくり返し単位の構成比bが10モル%<b<99モル%であり、還元粘度が0.05〜3.0dl/g (温度30°CのN-メチルピロリドン中、濃度0.5g /dl)である有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂100重量部当たり、オルトキノンジアジド化合物1〜100重量部を含有し、ポリイミド膜形成温度を130°C以上ポリイミド樹脂の溶媒の沸点以下とすることを特徴とするポジ型感光性ポリイミド樹脂。
IPC (2件)：
C08G 73/10 NTF
, H02N 1/00
