特許

J-GLOBAL ID：200903068402041128

ホールパターン形成方法

発明者： 松岡 晃次
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089423
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289500
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 スループットの低下や寸法精度の劣化を防止しつつ、解像限界以下のホールピッチを有する密集ホールパターンを孤立ホールパターンと共に形成できるようにする。【解決手段】 密集ホールパターンにおいてx方向及びy方向に沿って並べられる複数のホールが、各組に属するホールの各方向におけるピッチが各方向における最小ピッチP1x及びP1yの2倍のピッチP2x及びP2yと等しくなるように第1の組及び第2の組に分割されている。そして、各組に属するホールと対応するホール用透光部12及び22を有する第1のハーフトーン型位相シフトマスク10及び第2のハーフトーン型位相シフトマスク20を用いて同一のレジスト膜に対してパターン露光を2回行なう。

請求項（抜粋）：

所定の方向に沿って並べられる複数のホールを有するホールパターンが配置されてなるレジストパターンを形成するホールパターン形成方法であって、基板上にポジ型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、第1の組に属するホールのピッチが前記複数のホールの最小ピッチの2倍以上になると共に第2の組に属するホールのピッチが前記最小ピッチの2倍以上になるように前記複数のホールが分割されてなる第1の組及び第2の組のうち、前記第1の組に属するホールと対応する透光部を有する第1のハーフトーン型位相シフトマスクを用いて、前記レジスト膜に対してパターン露光を行なう工程と、前記第2の組に属するホールと対応する透光部を有する第2のハーフトーン型位相シフトマスクを用いて、前記レジスト膜に対してパターン露光を行なう工程と、前記第1のハーフトーン型位相シフトマスクを用いるパターン露光及び前記第2のハーフトーン型位相シフトマスクを用いるパターン露光が行なわれた前記レジスト膜を現像して前記レジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするホールパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F

Fターム (7件)：

2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17 ,  5F046CC14