特許
J-GLOBAL ID：200903068406414565
Ni3(Si,Ti)系箔及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 藤井 淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-278049
公開番号（公開出願番号）：特開2007-084903
出願日： 2005年09月26日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】強度、耐食性、耐酸化性、耐熱性等に加え、延性にも優れた箔材料を提供する。【解決手段】Ni3(Si,Ti)系箔を製造する方法であって、(1)Ni:78.5〜81.0原子%、Ti:9.0〜11.5原子%及びSi:7.5〜12.5原子%の合計重量に対してB:25〜500重量ppmを含む溶湯から鋳塊を作製する第1工程、(2)前記鋳塊を均質化処理する第2工程、(3)均質化処理された鋳塊に対し、1)圧延率10〜50%の圧延と、2)900°C〜1100°Cでの焼鈍とを施すことにより冷間圧延用材料を作製する第3工程、(4)前記材料を圧延率90%以上で冷間圧延する第4工程を含むことを特徴とするNi3(Si,Ti)系箔の製造方法に係る。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Ni3(Si,Ti)系箔を製造する方法であって、
(1)Ni:78.5〜81.0原子%、Ti:9.0〜11.5原子%及びSi:7.5〜12.5原子%の合計重量に対してB:25〜500重量ppmを含む溶湯から鋳塊を作製する第1工程、
(2)前記鋳塊を均質化処理する第2工程、
(3)均質化処理された鋳塊に対し、1)圧延率10%以上の圧延と、2)900°C〜1100°Cでの焼鈍とを施すことにより冷間圧延用材料を作製する第3工程、
(4)前記材料を圧延率90%以上で冷間圧延する第4工程
を含むことを特徴とするNi3(Si,Ti)系箔の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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