特許

J-GLOBAL ID：200903068406414565

Ni3(Si,Ti)系箔及びその製造方法

発明者： 高杉 隆幸 ,  金野 泰幸
出願人/特許権者： 財団法人大阪産業振興機構
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  藤井 淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-278049
公開番号（公開出願番号）：特開2007-084903
出願日： 2005年09月26日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】強度、耐食性、耐酸化性、耐熱性等に加え、延性にも優れた箔材料を提供する。【解決手段】Ni3(Si,Ti)系箔を製造する方法であって、(1)Ni:78.5〜81.0原子%、Ti:9.0〜11.5原子%及びSi:7.5〜12.5原子%の合計重量に対してB:25〜500重量ppmを含む溶湯から鋳塊を作製する第1工程、(2)前記鋳塊を均質化処理する第2工程、(3)均質化処理された鋳塊に対し、1)圧延率10〜50%の圧延と、2)900°C〜1100°Cでの焼鈍とを施すことにより冷間圧延用材料を作製する第3工程、(4)前記材料を圧延率90%以上で冷間圧延する第4工程を含むことを特徴とするNi3(Si,Ti)系箔の製造方法に係る。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Ni3(Si,Ti)系箔を製造する方法であって、 (1)Ni:78.5〜81.0原子%、Ti:9.0〜11.5原子%及びSi:7.5〜12.5原子%の合計重量に対してB:25〜500重量ppmを含む溶湯から鋳塊を作製する第1工程、 (2)前記鋳塊を均質化処理する第2工程、 (3)均質化処理された鋳塊に対し、1)圧延率10%以上の圧延と、2)900°C〜1100°Cでの焼鈍とを施すことにより冷間圧延用材料を作製する第3工程、 (4)前記材料を圧延率90%以上で冷間圧延する第4工程 を含むことを特徴とするNi3(Si,Ti)系箔の製造方法。

IPC (2件)：

C22F 1/10 ,  C22C 19/03

FI (2件)：

C22F1/10 A ,  C22C19/03 Z