特許

J-GLOBAL ID：200903068412884794

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 石橋 亨介
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102454
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312414
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 電源ノイズ低減効果が大きくしかも実装面積の小さいバイパスコンデンサを備えている半導体集積回路装置と、それを容易に製造できる製造方法とを提供する。【構成】 複数の半導体素子と多層配線層とを有するICチップ本体1の上に形成されているパッシベーション膜3の上部にバイパスコンデンサ2が設けられている半導体集積回路装置とする。また、半導体集積回路装置の製造工程をもってバイパスコンデンサ2の製作を行う。

請求項（抜粋）：

チップに設けられている複数の半導体素子と、前記半導体素子の上に設けられている多層配線層と、前記多層配線層の上に設けられているパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の上に設けられているバイパスコンデンサとを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 N ,  H01L 29/78 301 K