特許

J-GLOBAL ID：200903068417287999

半導体装置

発明者： 岡田 眞琴
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝ディスクリートテクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000051
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184316
出願日： 2006年01月04日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】応力歪が低減された半導体装置を提供する。【解決手段】第1及び第2の主面を有する半導体層と、前記半導体層の前記第1の主面に設けられた第1電極と、前記半導体層の前記第2の主面において第1の方向に延在する凹部と、少なくとも前記凹部の内壁を被覆する補強層と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1及び第2の主面を有する半導体層と、 前記半導体層の前記第1の主面に設けられた第1電極と、 前記半導体層の前記第2の主面において第1の方向に延在する凹部と、 少なくとも前記凹部の内壁を被覆する補強層と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/22 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01S5/22 ,  H01L21/28 301B

Fターム (21件)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG12 ,  5F173AA08 ,  5F173AH08 ,  5F173AK04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR93 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 量子細線または量子井戸層の形成方法、及び該形成方法により形成された量子細線または量子井戸層を用いた分布帰還半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-404645   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団