特許

J-GLOBAL ID：200903068420045211

発光素子

発明者： 平山 雄彦 ,  井下 主
出願人/特許権者： 株式会社ドウシシャ
代理人 (4件)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305745
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156968
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】内部損失を減らして光量を多く取り出すことができ、さらに高出力を発生した時も長い寿命を確保する発光素子を提供する。【解決手段】正極端子12及び負極端子13と、負極端子13に形成された凹部13aの底面上に配置した発光ダイオード部14と、発光した光を受光し、蛍光を発生する蛍光体17と、発光ダイオード部14と蛍光体17とを密封する透明性容器18とを有し、発光ダイオード部14は、素子形成用基板21/n型窒化ガリウム系半導体層/窒化ガリウム系半導体活性層/p型窒化ガリウム系半導体層なる積層体であり、基板21は、凹部13a底面との電気的接続部を有し、CrとPtとAuとの固溶体からなる正極用接合電極をp型窒化ガリウム系半導体層の最上部表面に形成し、正極端子12と電極210とを電気的に接続し、電極210の周囲に、導電性透明電極層211を形成し、発光素子11と導電性透明電極層211の側面とを、透明性パッシベーション層212で外部遮断した。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

正極端子及び負極端子と、発光ダイオード部と、前記発光ダイオード部が発光した光を受光し蛍光を発生する蛍光体と、前記発光ダイオード部と前記蛍光体とを密封する透明性容器と、を有する発光素子であって、 (1)前記発光ダイオード部は、素子形成用基板/n型窒化ガリウム系半導体層/窒化ガリウム系半導体活性層/p型窒化ガリウム系半導体層からなる構成を有する積層体であり、 (2)前記p型窒化ガリウム系半導体層の最上部表面に導電性透明電極層を形成し、 さらに前記導電性透明電極層の一部に前記正極端子との電気的接続用正極リード接続部を形成したことを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (3件)：

H01L33/00 N ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E

Fターム (18件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA25 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-300915   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-011215   出願人：日亜化学工業株式会社