特許

J-GLOBAL ID：200903068422879322

半導体装置およびその製造方法

発明者： 奥村 尚久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152524
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340974
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 リード部のインダクタンスが低減された垂直実装型の半導体装置、および量産的な製造方法の提供。【解決手段】 一主面に電極が配設されている半導体チップ8と、前記電極に一端が電気的に接続し、他端が半田バンプ10を成し半導体チップ8面に沿わせて一辺側に導出され回路配線9と、前記半導体チップ8の少なくとも回路配線9が配設された面を封止する樹脂層11と、前記半田バンプ10に電気的に接続して半導体チップ8端面に突設されたボールバンプ12と、前記ボールバンプ12が突設された半導体チップ8端面を絶縁被覆する絶縁体層13とを有することを特徴とする半導体装置である。

請求項（抜粋）：

一主面に電極が配設されている半導体チップと、前記電極に一端が電気的に接続し、他端が半田バンプを成し半導体チップ面に沿わせて一辺側に導出され回路配線と、前記半導体チップの少なくとも回路配線が配設された面を封止する樹脂層と、前記半田バンプに電気的に接続して半導体チップ端面に突設されたボールバンプと、前記ボールバンプが突設された半導体チップ端面を絶縁被覆する絶縁体層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/12 301 L ,  H01L 23/12 L