半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139216
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345981
出願日： 1990年08月18日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】静電気保護回路を少ない工程で形成する。【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのソース・ドレインあるいはゲートとして形成されるイオンドープされた非結晶シリコン材料と同一の材料で形成された入力保護抵抗を具備した静電気保護回路を有する半導体装置の製造方法に関する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成される半導体装置の静電気保護回路において、薄膜トランジスタのソース、ゲート、ドレイン部として形成されるイオンドープされた非結晶シリコン材料と同一の材料でかつ薄膜トランジスタのソース、ゲート、ドレイン部と同一工程で形成される入力抵抗を有する静電気保護回路。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/78 623 A , H01L 27/12 K , H01L 27/04 H

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