特許
J-GLOBAL ID：200903068428770772
透明電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298654
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153332
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 微細パターン状の透明電極を寸法精度良く形成する方法を提供すること。【構成】 150°C以下の基板温度条件にて絶縁基板(ガラス)1上にスパッタリングによりITO薄膜2を成膜し、このITO薄膜2上に電極パターン状のフォトレジスト3を形成した後、このレジスト3から露出したITO薄膜2をエッチング除去して透明電極20を形成する方法。そして、この方法においては上記エッチング液として臭化水素酸と燐酸との混酸を使用しているため、上記エッチング処理の際にそのサイドエッチングが抑制されてエッチング後に残存させるITO薄膜2の画線幅を正確に制御することが可能となる。従って、微細パターンの透明電極20を寸法精度良く形成できる効果を有している。
請求項（抜粋）：
150°C以下の基板温度条件にて絶縁基板上に透明導電膜を成膜し、かつ、この透明導電膜上に電極パターン状のエッチングレジストを形成した後、このエッチングレジストから露出する上記透明導電膜をエッチングにより除去して透明電極を形成する方法において、臭化水素酸と燐酸との混酸から成るエッチング液で上記透明導電膜をエッチングすることを特徴とする透明電極の形成方法。
IPC (4件)：
H01B 13/00 503
, C03C 15/00
, C23F 1/16
, G02F 1/1343
