特許
J-GLOBAL ID：200903068431887583
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205917
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029498
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 低電圧動作可能なフラッシュメモリ等の半導体記憶装置を実現する。また、フラッシュメモリ等のメモリセルの消去特性バラツキを抑制しそのベリファイ電圧等を安定化して、フラッシュメモリひいてはフラッシュメモリを内蔵するマイクロコンピュータ等の信頼性を高める。【構成】 その選択レベルが例えば+3Vすなわち電源電圧VCCのような正電位とされるワード線W0〜Wmの非選択レベルを、例えば-2Vすなわち電源電圧-VG1のような負電位とする。これにより、メモリセルの消去後におけるしきい値電圧が比較的大きなバラツキを呈する場合でも、メモリアレイMARYにおけるメモリセルの選択動作を確実に行わせることができる。
請求項（抜粋）：
複数のワード線を含むメモリアレイを具備し、上記ワード線の読み出しモード及び書き込みモードにおける非選択レベルがその選択レベルとは逆極性の電位とされることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 309 C
