特許
J-GLOBAL ID:200903068438496024
硫化カドミウム超微粒子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-131505
公開番号(公開出願番号):特開2002-321916
出願日: 2001年04月27日
公開日(公表日): 2002年11月08日
要約:
【要約】【課題】 吸収帯及び発光体の半値幅が狭く、且つ発光効率の優れた硫化カドミウム超微粒子を提供する。【解決手段】 半値幅が35nm以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が30nm以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。
請求項(抜粋):
半値幅が35nm以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が30nm以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。
IPC (4件):
C01G 11/02
, C09K 11/00
, C09K 11/08
, C09K 11/56 CPC
FI (4件):
C01G 11/02
, C09K 11/00 A
, C09K 11/08 G
, C09K 11/56 CPC
Fターム (7件):
4G047BA01
, 4G047BB01
, 4G047BC01
, 4G047BD03
, 4H001CC13
, 4H001XA16
, 4H001XA48
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