特許
J-GLOBAL ID:200903068438496024

硫化カドミウム超微粒子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-131505
公開番号(公開出願番号):特開2002-321916
出願日: 2001年04月27日
公開日(公表日): 2002年11月08日
要約:
【要約】【課題】 吸収帯及び発光体の半値幅が狭く、且つ発光効率の優れた硫化カドミウム超微粒子を提供する。【解決手段】 半値幅が35nm以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が30nm以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。
請求項(抜粋):
半値幅が35nm以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が30nm以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。
IPC (4件):
C01G 11/02 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/56 CPC
FI (4件):
C01G 11/02 ,  C09K 11/00 A ,  C09K 11/08 G ,  C09K 11/56 CPC
Fターム (7件):
4G047BA01 ,  4G047BB01 ,  4G047BC01 ,  4G047BD03 ,  4H001CC13 ,  4H001XA16 ,  4H001XA48

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