特許

J-GLOBAL ID：200903068438861610

半導体装置とその製造方法

発明者： 金子 寿輝 ,  鬼沢 賢一 ,  北 芳明 ,  阿部 良夫 ,  橋本 健一 ,  小園 裕三 ,  小川 和宏 ,  森田 守
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063172
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】高感度な受光素子と、高速走査可能な駆動用素子を、同一基板上に、同じ膜構成で形成することができる半導体装置と、その製造方法を提供することを目的とする。【構成】光電変換を行なう非晶質半導体層を有する受光素子と、多結晶半導体層を有する薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

光電変換を行なう非晶質半導体層を有する受光素子と、多結晶半導体層を有する薄膜トランジスタとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/784

FI (4件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 311 C ,  H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 S