特許
J-GLOBAL ID：200903068439593350
半導体放射線検出装置及び半導体放射線検出器並びにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314293
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003337
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】二種類の放射線を弁別し、高感度に検出できる半導体放射線検出器及び半導体放射線検出装置を得る。【構成】一枚の半導体基板の表裏にpn接合を形成する。あるいは、半導体基板のサブストレートにpn接合の共通電極を設ける。又は、半導体基板の電極に印加する逆バイアス電圧を可変にし、放射線の最大エネルギーに合うように調節する。【効果】二種類の放射線の検出部の中間に不感帯を形成することがないので、高感度で検出できる。
請求項（抜粋）：
第1の表面と第2の表面を有する一枚の半導体基板と、前記第1の表面に形成される第1のpn接合と、前記第2の表面に形成される第2のpn接合と、前記2つのpn接合のうち少なくとも1つに設けられた出力電極と、前記出力電極から出力信号を取り出す信号取り出し手段と、前記出力信号に基づいて放射線を分析する分析手段とを有することを特徴とする半導体放射線検出装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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