特許
J-GLOBAL ID:200903068442304385
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-173055
公開番号(公開出願番号):特開2004-022666
出願日: 2002年06月13日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】電子集積回路装置間を接続する高密度配置された隣接する光導波路間のクロストークを低減した半導体装置を提供する。【解決手段】支持基板1上に、電子集積回路装置2が複数個配置されるとともに、電子集積回路装置2の下に位置し、その電子集積回路装置2からの電気信号を光信号に変換する発光素子4および光信号を電気信号に変換する受光素子5と、電子集積回路装置2間で発光素子4と受光素子5とを接続する複数本の光導波路6とが設けられて成り、隣接するこれら光導波路6における光の伝搬方向が逆方向とされている半導体装置である。また、隣接する光導波路6に接続された発光素子4および受光素子5は、交互に位置をずらせて配置するとよく、さらにそれぞれ複数個が一体的にアレイ状に設けられているとよい。隣接する光導波路6間のクロストークを低減でき、低コストおよび損失のより小さな半導体装置を提供することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
支持基板上に、電子集積回路装置が複数個配置されるとともに、前記電子集積回路装置の下に位置し、その電子集積回路装置から出力される電気信号を光信号に変換する発光素子および光信号を電気信号に変換してその電子集積回路装置に入力する受光素子と、前記電子集積回路装置間で前記発光素子と前記受光素子とを接続する複数本の光導波路とが設けられて成り、隣接するこれら光導波路における光の伝搬方向が逆方向とされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L27/15
, G02B6/122
, G02B6/42
, H01L31/10
, H01S5/026
FI (8件):
H01L27/15 H
, H01L27/15 C
, H01L27/15 S
, G02B6/42
, H01S5/026 612
, H01S5/026 618
, H01L31/10 A
, G02B6/12 B
Fターム (26件):
2H037BA02
, 2H037BA11
, 2H037BA24
, 2H037CA34
, 2H037DA02
, 2H037DA03
, 2H047KA03
, 2H047MA07
, 2H047QA04
, 2H047QA05
, 2H047RA08
, 2H047TA05
, 5F049MA01
, 5F049NA04
, 5F049NA09
, 5F049NA18
, 5F049NA19
, 5F049NA20
, 5F049NB01
, 5F049RA02
, 5F049RA07
, 5F049RA08
, 5F073AB04
, 5F073AB16
, 5F073BA01
, 5F073EA27
引用特許:
審査官引用 (7件)
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光電子集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-254258
出願人:ソニー株式会社
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特開平4-152584
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特開平3-278327
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特開昭63-318528
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-019022
出願人:京セラ株式会社
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特開昭59-075656
-
特開平3-191572
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