特許
J-GLOBAL ID：200903068446728074
半導体基板の熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302251
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162461
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ表層部分の過度の酸素析出を防止することを可能とする改良された半導体基板の熱処理方法を提供する。【構成】 不活性ガスから還元性ガスに切替える温度を、基板表面状態の劣化が生じる温度以下に設定して、炉に搬入された基板表面に生成した酸化膜が高温熱処理過程に至る途中で活性化された還元性雰囲気の還元作用によってなるべく除去されてしまわないようにする。【効果】 半導体基板表面に生じた酸化膜を保護膜として活用することが出来、炉内の雰囲気に残存する不純物等の基板内への入り込みが抑制され表層部分の異常な過度の酸素析出発生を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を炉内に導入し還元性雰囲気中で高温熱処理を行う半導体基板の熱処理方法であって、前記半導体基板が載置された炉内の空気を不活性ガスを導入して排出する不活性ガス導入過程と、前記炉内の不活性ガスを還元性ガスを導入して排出する還元性ガス導入過程と、前記還元性ガスの雰囲気中で前記半導体基板の高温熱処理を行う熱処理過程と、を有し、前記還元性ガス導入過程は、前記半導体基板表面の状態劣化が生ずる温度よりも低い温度で行われる、ことを特徴とする半導体基板の熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/477
