特許
J-GLOBAL ID：200903068447960639
金属薄膜パターン形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中沢 謹之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-304141
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130359
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 エキシマレーザ光によって厚い金属薄膜でもシャープなパターンの形成を可能にすることを目的とする。【構成】 基板の表面に形成された金属薄膜の表面に、長鎖高分子材料からなる薄膜を配置する。この薄膜の表面からエキシマレーザ光をパターン転写して照射する。レーザ光が長鎖高分子材料の薄膜に照射されると、その照射部分における分子間の結合鎖が切断され、アブレーションを起こす。このアブレーションの発生によってその照射部分からの溶発分子が超音速で外部に飛散する。この飛散の際の反作用により、レーザ光の照射部分には金属薄膜の表面に向かって強い圧力が発生する。この圧力により金属薄膜に歪みが生じ、基板から剥離する。
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成された金属薄膜の表面に、エキシマレーザ光の照射によりアブレーションを発生する長鎖高分子材料からなる膜を配置し、前記膜の表面からエキシマレーザ光をパターン転写して照射することを特徴とする金属薄膜パターン形成法。
IPC (4件)：
H05K 3/02
, B23K 26/00
, B23K 26/06
, C23F 4/04
