特許

J-GLOBAL ID：200903068448634026

超電導トランジスタ

発明者： 樽谷 良信 ,  高木 一正 ,  杉井 信之 ,  樺沢 宇紀 ,  長谷川 晴弘 ,  深沢 徳海
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-030420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228029
出願日： 1995年02月20日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【構成】 超電導性のソース電極、ドレイン電極、超電導電極間に挾まれたチャネル層、ゲート絶縁膜およびゲート電極から成る超電導トランジスタで、チャネル層が正方晶あるいは斜方晶のCuを含む酸化物であり、結晶のab面の中で電気的に伝導度の低い原子面と超電導性を有する原子面から構成され、基板がソース電極とドレイン電極部の間で段差をなし、チャネル部で傾斜し、チャネル層が傾斜した基板上に形成される。【効果】 素子寸法を大きくすることなく、超電導モ-ドでの信号電圧を任意の大きさに増大させることができ、素子を超電導状態に保った状態での利得、すなわち信号電圧とゲート電圧の比を1以上にすることができ、電圧状態でも超電導モ-ドが保たれ、スイッチングが高速化する。

請求項（抜粋）：

超電導性のソース電極、ドレイン電極、超電導電極間に挾まれたチャネル層、ゲート絶縁膜およびゲート電極から成る超電導トランジスタにおいて、前記チャネル層が正方晶あるいは斜方晶のCuを含む酸化物であり、結晶のab面の中で電気的に伝導度の低い原子面と超電導性を有する原子面から構成されることを特徴とする超電導トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-230778
  
• 特開平1-161880
  
• 特開平3-023684