特許

J-GLOBAL ID：200903068456125025

酸化タンタル薄膜の形成方法

発明者： 澁谷 宗裕 ,  北川 雅俊 ,  鎌田 健 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-212471
公開番号（公開出願番号）：特開平6-057432
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：

【要約】【目的】 DRAMの容量性絶縁膜として利用できる酸化タンタル薄膜の形成方法に関するもので、未処理でリーク電流の小さい酸化タンタル薄膜を形成することを目的とする。【構成】 真空室1内に原料ガスを導入し、熱分解反応させる化学気相成長法による酸化タンタル薄膜の形成に於て、前記真空室内に原料ガスとして少なくとも、Ta(OC2H5)5とTiCl4を導入し、熱分解反応させ、基板5上にTiを含有した酸化タンタル薄膜を堆積させる。【効果】 酸化タンタル薄膜の形成において薄膜中の格子欠陥の補償、または応力の緩和のためにSiまたはTiを含有させることによって低リーク電流を有する酸化タンタル薄膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

真空室内に原料ガスを導入し、熱分解反応させる化学気相成長法による酸化タンタル薄膜の形成に於て、前記真空室内に原料ガスとして少なくとも、Ta(OC2H5)5とTiCl4を導入し、熱分解反応させ、基板上にTiを含有した酸化タンタル薄膜を堆積させることを特徴とする酸化タンタル薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/40 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/316