特許
J-GLOBAL ID：200903068459209793
金属窒化物被膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295586
公開番号（公開出願番号）：特開平5-132778
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：
【要約】【目的】残留ハロゲン量が少なく、膜特性の優れた金属窒化物被膜を高い成膜速度で形成することが可能な方法を提供しようとするものである。【構成】直流プラズマCVD法により真空チャンバ1内で基材13表面に金属窒化物被膜を形成する方法において、原料ガスとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガスおよび水素ガスを用い、前記基材13に印加する直流バイアス電圧を-100V〜-1200、前記基材13の温度を400°C以上、前記チャンバ1内の圧力を0.1〜10torrにして成膜すること特徴としている。
請求項（抜粋）：
直流プラズマCVD法により真空チャンバ内で基材表面に金属窒化物被膜を形成する方法において、原料ガスとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガスおよび水素ガスを用い、前記基材に印加する直流バイアス電圧を-100V〜-1200V、前記基材温度を400°C以上、前記チャンバ内の圧力を0.1〜10torrにして成膜することを特徴とする金属窒化物被膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 16/34
, C23C 16/46
, C23C 16/50
